5月23日消息，SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。
SK海力士称，这种新的存储芯片厚度只有区区0.85毫米，比之前238层堆叠的1.0毫米又缩小了15％，而且依然可以维持高达4.3GB/s的高持续读取速度。
这样的性能，已经超过了好的PCIe 3.0 SSD。
同时，随机读写性能分别提升了15％、40％，更适合手机这种频繁读写小文件的设备，但未透露具体数据。
能效方面，SK海力士也宣称提升了7％，有利于延长续航，但也没有给出具体数据。
不过，堆叠层数上去了，总容量并没有变，目前还是512GB、1TB。
本文链接：http://www.vanbs.com/v-146-426.html手机存储飞跃！SK海力士拿出321层4D闪存的UFS 4.1
声明：本网页内容由互联网博主自发贡献，不代表本站观点，本站不承担任何法律责任。天上不会到馅饼，请大家谨防诈骗！若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。
相关文章：
简单的非主流爱情语录34条05-08
简短的美好的晚安问候语短信45条11-26
感谢老公调皮一点的话语08-31
最新双减工作总结美篇 双减工作总结发言稿九篇(通用)01-10
酒店厨房承包简单版协议书02-12
给家长的万圣节活动邀请函11-23
古诗《枫桥夜泊》扩写作文12-05
菊花说明文作文600字12-05
逛超市二年级作文11-18
勤俭节约的名言11-09
小学生评语【优秀24篇】06-08
消防考试试题与答案07-19
县全面推行河长制工作自检自查报告11-05
医院违规收费个人自查报告09-20