5月23日消息，SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。
SK海力士称，这种新的存储芯片厚度只有区区0.85毫米，比之前238层堆叠的1.0毫米又缩小了15％，而且依然可以维持高达4.3GB/s的高持续读取速度。
这样的性能，已经超过了好的PCIe 3.0 SSD。
同时，随机读写性能分别提升了15％、40％，更适合手机这种频繁读写小文件的设备，但未透露具体数据。
能效方面，SK海力士也宣称提升了7％，有利于延长续航，但也没有给出具体数据。
不过，堆叠层数上去了，总容量并没有变，目前还是512GB、1TB。
本文链接：http://www.vanbs.com/v-146-426.html手机存储飞跃！SK海力士拿出321层4D闪存的UFS 4.1
声明：本网页内容由互联网博主自发贡献，不代表本站观点，本站不承担任何法律责任。天上不会到馅饼，请大家谨防诈骗！若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。
显示全文
相关文章：
美好的晚安QQ问候语42条01-21
混凝土的实习报告12-10
本命生日的句子11-09
形容心情很烦躁的发朋友圈的句子07-05
给领导写喝酒后保证书01-07
公司员工离职证明11-30
财务工作失职检讨书10-05
毕业证委托书07-16
幼儿园开学发言稿12-28
工作个人简历07-26
一年级弟弟的作文12-10
我是小小按摩师作文10-26
中学生感恩主题英语演讲稿10-19
描写夏天景色的英语作文07-23
2025年广东二级建造师考试准考证打印入口（5月6日-9日）05-08
2025年3月湖北计算机四级报名时间及报名入口（2024年12月26日-2025年1月6日）12-24
山东大学统计学专业有什么特色？11-04
张志和渔歌子08-16
开学最火走心的文案02-19
茶叶广告文案07-25