5月23日消息,SK海力士宣布,正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案,将于2026年第一季度到来,可大大提升智能手机的存储性能。
SK海力士称,这种新的存储芯片厚度只有区区0.85毫米,比之前238层堆叠的1.0毫米又缩小了15%,而且依然可以维持高达4.3GB/s的高持续读取速度。
这样的性能,已经超过了好的PCIe 3.0 SSD。
同时,随机读写性能分别提升了15%、40%,更适合手机这种频繁读写小文件的设备,但未透露具体数据。
能效方面,SK海力士也宣称提升了7%,有利于延长续航,但也没有给出具体数据。
不过,堆叠层数上去了,总容量并没有变,目前还是512GB、1TB。
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